МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»
ДОСЛІДЖЕННЯ ПІДСИЛЮВАЛЬНИХ КАСКАДІВ НА ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРАХ
Інструкція до лабораторної роботи № 2
з навчальної дисципліни: “Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації”
для студентів базових напрямків
6.170102 “Системи технічного захисту інформації”,
6.170103 “Управління інформаційною безпекою”
Затверджено
на засіданні кафедри
(Захист інформації(
Протокол № від 2011 р.
Львів – 2011
Дослідження підсилювальних каскадів на польових транзисторах: Інструкція до лабораторної роботи №2 з дисципліни: “Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації” / Укл.: Кеньо Г.В. ( Львів: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2011. ( 10 с.
Укладач Кеньо Г.В., к. т. н., доц.
Відповідальний за випуск Дудикевич В.Б., д.т. н., проф.
Рецензенти:
МЕТА РОБОТИ
Ознайомитися з основними параметрами і характеристиками підсилювальних каскадів на польових транзисторах для різних включень: спільним витоком(СВ), спільним стоком(СС). Отримати амплітудно-частотні характеристики, визначити коефіцієнти підсилення по напрузі і смугу пропускання підсилювальних каскадів для різного включення транзистора. Виявити вплив зміни параметрів пасивних елементів на коефіцієнт підсилення та смугу пропускання підсилювальних каскадів.
ТЕОРЕТИЧНИЙ ВСТУП
Польовим називається транзистор, керований електричною напругою – полем (на відміну від біполярних транзисторів, у яких процес керування обов’язково супроводжується протіканням струму у колі керуючого електрода – бази). Розрізняють польові транзистори(ПТ) з керуючим р-n переходом і з ізольованим затвором.
На рис. 1 наведено конструкцію польового транзистора з керуючим р-n переходом.
а) б) в)
Рис. 1 – Структура та умовне позначення ПТ з керуючим p-n переходом з каналом n-типу (а і б) та умовне позначення ПТ з каналом p-типу (в)
Цей транзистор являє собою напівпровідникову пластинку з провідністю, наприклад, n-типу, на верхній і нижній гранях якої створюються шари з провідністю р-типу. Ці шари з’єднують між собою, утворюючи єдиний електрод, що називається затвором (З).
Шар з провідністю n-типу, що розташований між шарами з провідністю р-типу, називається каналом.
Електрична ізоляція між каналом і затвором здійснюється за допомогою р-n переходів, що утворюються на межі напівпровідників з різною провідністю (використовується та властивість зони р-n переходу, що її опір безкінечний з-за відсутності у ній вільних носіїв заряду).
На торці напівпровідникової пластинки (каналу) наносять омічні контакти, що утворюють два інших електроди, до яких підключається джерело живлення і навантаження. Контакт, до якого підключається негативний полюс джерела, називається витоком (В), а контакт, до якого підключається позитивний полюс, стоком (С).
Більш широке застосування, особливо у складі ІМС, знаходять польові транзистори з ізольованим затвором, з структурою метал-діелектрик (окисел)- напівпровідник – МДН (МОН)-транзистори.
Конструкція МОН - транзистора з індукованим каналом n-типу показана на рис. 2 а, а умовне зображення – на рис. 2 б, в.
Рис. 2 – Конструкція МОН-транзистора з індукованим каналом n-типу (а) і умовні позначення таких транзисторів з каналами n-типу (б) та p-типу (в).
Підсилювальні каскади на польових транзисторах.
Принципи побудови підсилювальних каскадів на польових транзисторах ті самі, що і каскадів на біполярних транзисторах. Особливість полягає у тім, що польовий транзистор керується напругою, а не струмом. З цієї причини завдання режиму спокою в каскадах на польових транзисторах здійснюється подачею у вхідне коло каскаду постійної напруги відповідного значення і полярності.
Рис. 3. – Підсилювальний каскад з СВ на польовому транзисторі з керуючим р-n переходом і каналом n-типу.
Польові транзистори так с...
